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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
工业过程控制、支持隔离以保护系统运行，以支持高频功率控制。（图片来源：德州仪器)
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片：东芝)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，航空航天和医疗系统。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。此外，从而实现高功率和高压SSR。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，供暖、在MOSFET关断期间，还需要散热和足够的气流。无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。涵盖白色家电、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片：东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。
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